富士电机株式会社，富士电机（中国）有限公司正式发售功率半导体的最新产品——超结功率※MOSFET“Super J MOS® S2/S2FD系列”，特此通知。

 

一种MOSFET（场效应晶体管）结构。同传统的平面式结构相比，可降低单位面积的电阻。

 

1．背景 

功率半导体是实现节能或稳定供电的关键器件，多被嵌入UPS、功率调节器等工业设备、通讯设备及家电产品等各类电气产品中。 

近年来，随着全球能源需求的不断扩大，对节能的要求也日益提高。据预测，能够减少搭载设备耗电的超结功率MOSFET在2016年将达到1200亿日元的市场规模，并将以14%的速度逐年递增（出处：IMS）。 

此次，我公司正式发售一款同以往的产品相比能够减少电流阻碍，从而实现节能的最新产品“Super J MOS® S2/S2FDx系列”。

 

2．产品特点 

（1）降低通电时的电阻，实现搭载设备节能 

和以往的产品（S1系列）相比，S2系列在相同芯片面积下通电时的电阻降低近25%。这将有助于实现搭载设备的节能，节约用电成本。

 

（2）实现内置二极管的快速恢复，减少开关损耗 

S2FD系列的内置二极管开关所需时间（恢复时间）较S2系列缩短了近50%。在使用内置二极管的富士变频器电路等产品中应用本产品，不仅可以减少开关操作时的电能损耗，还能控制开关时瞬间产生的过电压（电涌电压）。这些特点将有助于实现搭载设备的节能，提高产品的可靠性。